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英特尔开发相变内存芯片 将取代闪存

英特尔开发相变内存芯片 将取代闪存

2007-08-10    CNET科技资讯网
 
                英特尔会宣布在今年开始生产相变内存(phase-change memory)吗?相变内存是一种正在开发中的技术,可能取代目前大行其道的闪存。

 

这是“闪存峰会”上的猜想之一。观察人士表示,英特尔和意法半导体已经组建了一家合资企业,可能很快公布以商业化规模生产相变内存的计划。意法半导体非常急于在市场上推出相变内存产品。

 

英特尔还没有正式公布会在何时推出相变内存的计划。英特尔闪存集团战略规划经理格雷格说,英特尔已经开发了90纳米工艺的相变内存样片,并相信这种芯片将在未来取代闪存芯片。

 

Objective Analysis分析师吉姆表示,英特尔、意法半导体合资企业名为Numonyx。发明相变内存技术并将它许可给英特尔等大厂商的是一家名为Ovonyx的公司。Numonyx上个月表示,将为消费者市场生产内存,并将在今年晚些时候公布更详细的计划。

 

相变内存的材料与CD光盘相似。这项技术的开发已经有很长时间了,英特尔的合伙创始人摩尔在1970年的一篇文章中就阐述了相变内存技术。三星、飞利浦等厂商也在开发相变内存技术。


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